[14p-P6-1~11] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[14p-P6-11] Analysis of a residual image in CMOS image sensor 2

〇Akira Ohtani¹, Tasuko Kaneda¹ (1.CANON INC.)

Keywords:CMOS IMAGE SENSOR, RESIDUAL IMAGE, OXYGEN DEFECTS

CMOSイメージセンサーで観察される残像はウエーハ基板から拡散してきた格子間酸素と置換位置ボロンの複合欠陥に起因しており、光電子によるフェルミレベルの上昇に伴って電子がトラップされ、光消灯後、SRHモデルに基づく欠陥準位に応じた時定数で電子放出が起きている可能性が高いことが判明した。