[14p-P6-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[14p-P6-11] CMOSイメージセンサーの残像現象メカニズムの解明2

〇大谷 章¹、金田 翼¹ (1.キヤノン(株）デバ開)

キーワード：CMOSイメージセンサー、残像、酸素欠陥

CMOSイメージセンサーで観察される残像はウエーハ基板から拡散してきた格子間酸素と置換位置ボロンの複合欠陥に起因しており、光電子によるフェルミレベルの上昇に伴って電子がトラップされ、光消灯後、SRHモデルに基づく欠陥準位に応じた時定数で電子放出が起きている可能性が高いことが判明した。