[14p-P6-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [14p-P6-3] Ta/Ta₂O₅抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作の検討

〇勝村 玲音¹、Mika Grönroos¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹、安藤 秀幸²、森江 隆² (1.北大・院情報、2.九工大・生命体工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、多値・アナログメモリ、ReRAM