[14p-P6-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[14p-P6-6] フレキシブルRFIDタグ応用に向けた段差型FETの作製とインピーダンス測定

〇周 真平¹、平山 智章¹、礒田 俊介¹、山内 博¹、岡田 悠悟²、酒井 正俊¹、飯塚 正明³、工藤 一浩¹ (1.千葉大院工、2.千葉大先進科学センター、3.千葉大教育)

キーワード：半導体

本研究では、13.56 MHz帯域のRFIDタグに内蔵される変調素子である電界効果トランジスタ（FET）について、ナノインプリントリソグラフィー（NIL）を利用してフレキシブル基板上に高速動作可能な段差型FET素子（SVC-FET）を作製し、そのFET特性を調査した。SVC-FETの活性層には酸化亜鉛(ZnO)を用いた。RFIDタグの変調素子への適用に向けて、SVC-FETのソース・ドレイン間に交流信号を印加した場合のソース・ドレイン間インピーダンスの測定を行った。