[14p-P9-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [14p-P9-1] Measurement of Carbon Content by Infrared Absorption Method after Combustion

〇Koangyong Hyun¹, Masaru Takahashi¹, Toshinori Taishi¹ (1.Shinshu Univ.)

Keywords:SiC, solution growth method, Carbon Content

パワーデバイスでSiCはSiに対して代替材料として注目されている。溶液法によるSiC結晶は、現在主流の昇華法に比して低転位密度となり、高品質な結晶が得られる。溶液法では一般的に、成長速度を上げる目的で炭素溶解度を高める必要があり、SiにCrやTiなどの金属を加えた溶媒が用いられている。炭素溶解度はCALPHAD法による計算の報告はあるが、実測値の報告は少ない。そこで本研究では、燃焼赤外吸収法により炭素溶解度を実測することを検討した。