[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-11] 4H-SiC/SiO₂界面O₂酸化の第一原理シミュレーション ～SiC(0001)Si面と(000-1)C面の違い～

〇山崎 隆浩^1,2、田島 暢夫^1,2、金子 智昭^1,2、奈良 純^1,2、清水 達雄³、加藤 弘一⁴、大野 隆央^1,2 (1.物材機構、2.MARCEED、3.東芝研究開発センター、4.東大生産研)

キーワード：炭化珪素、酸化、第一原理分子動力学法

4H-SiC(0001)_Si面にアモルファス状SiO₂層を重ねた構造をつくり、2000Kで一定時間ごとに界面近傍にO₂分子を導入する第一原理分子動力学法シミュレーションを行った。C面/SiO₂界面の場合と比較して、CO、CO₂などの分子脱離の頻度は同程度であったが、界面に凝集するCクラスタの様子、酸化に伴う構造変化などに違いがみられた。面方位による酸化特性の違いを論ずる。