[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-13] 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程

〇(M1)高野 修平^1,2、牧野 高紘³、原田 信介²、児島 一聡²、土方 泰斗¹、大島 武³ (1.埼大理工、2.産総研、3.量研機構)

キーワード：炭化ケイ素(SiC)、シングルイベント効果

本研究では、シングルイベント効果の発生メカニズム解明の一歩として、SiC-MOSFETを対象とした重イオン照射を行い、デバイス内部に誘起される電荷の収集過程の探索を試みた。デバイス内で発生した誘起電荷の収集量と印加電圧の関係を表すヒストグラムから、2つのピークが観測され、印加電圧の上昇に伴いピークの位置が収集電荷増加の方向にシフトしていき、幅が広がっていく様子が観察された。