[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-15] 4H-SiCパワーデバイスの応力解析技術の構築

〇(M2)榊間 大輝¹、村上 陽一¹、泉 聡志¹、牛流 章弘²、廣畑 賢治² (1.東大工、2.東芝研究開発センター)

キーワード：SiC、パワーデバイス、ラマン分光法

有限要素法、第一原理計算、ラマン分光測定を組み合わせることにより、4H-SiCを使用して作成されたパワーデバイスの応力分布を取得する技術を構築した。