[14p-P9-1~18] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[14p-P9-15] Stress analysis method for 4H-SiC power devices

〇(M2)Hiroki Sakakima¹, Yoichi Murakami¹, Satoshi Izumi¹, Akihiro Goryu², Kenji Hirohata² (1.Univ. of Tokyo, 2.Toshiba R&D Center)

Keywords:SiC, power devices, Raman spectroscopy

有限要素法、第一原理計算、ラマン分光測定を組み合わせることにより、4H-SiCを使用して作成されたパワーデバイスの応力分布を取得する技術を構築した。