[14p-P9-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-P9-2] ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価

〇中野 由崇¹、浅村 英俊²、大内 澄人²、生川 満久²、稲垣 徹²、川村 啓介² (1.中部大工、2.エア・ウォーター)

キーワード：3C-SiC、自立基板、欠陥準位

ガスソースMBE法を用いて作製したアンドープ2インチ径3C-SiC(111)自立基板にショットキーダイオード(SBD)を作製し、C-V法, 光容量過渡分光法(SSPC: Steady-State Photo-Capacitance Spectroscopy), TAS法(Thermal Admittance Spectroscopy)を用いて欠陥準位評価を行った。