[15a-A21-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [15a-A21-11] Electric field and wavelength dependence of sub-bandgap optical absorption due to the Franz-Keldysh effect in GaN

〇Takuya Maeda¹, Masaya Okada², Masaki Ueno², Yoshiyuki Yamamoto², Masahiro Horita¹, Jun Suda¹ (1.Kyoto Univ., 2.Sumitomo Electric Industries,Ltd.)

Keywords:GaN Schottky barrier diode, Franz-Keldysh effect, photocurrent

前回、我々は、数十 V 以上の逆バイアス電圧を印加した Ni/n-GaN 縦型ショットキーバリアダ
イオードにおいて Franz-Keldysh (F-K)効果による空乏層内でのサブバンドギャップ光吸収による
光電流が明瞭に見られることを報告した。今回、F-K 効果による光吸収の式に基づいて光電流
の計算を行い、広い電圧範囲、波長範囲において、計算と実験が良く一致したので報告する。