[15a-A21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15a-A21-11] GaN における Franz-Keldysh 効果に起因した サブバンドギャップ光吸収の電界および波長依存性

〇前田 拓也¹、岡田 政也²、上野 昌紀²、山本 喜之²、堀田 昌宏¹、須田 淳¹ (1.京大院工、2.住友電工)

キーワード：GaNショットキーバリアダイオード、Franz-Keldysh効果、光電流

前回、我々は、数十 V 以上の逆バイアス電圧を印加した Ni/n-GaN 縦型ショットキーバリアダ
イオードにおいて Franz-Keldysh (F-K)効果による空乏層内でのサブバンドギャップ光吸収による
光電流が明瞭に見られることを報告した。今回、F-K 効果による光吸収の式に基づいて光電流
の計算を行い、広い電圧範囲、波長範囲において、計算と実験が良く一致したので報告する。