[15a-A21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-A21-8] 第一原理計算によるOVPE成長条件下におけるGaN(000-1)表面構造の解析

〇河村 貴宏^1,2、北本 啓²、今出 完²、吉村 政志²、森 勇介²、森川 良忠²、寒川 義裕³、柿本 浩一³ (1.三重大院工、2.阪大院工、3.九大応力研)

キーワード：窒化ガリウム、第一原理計算、oxide vapor phase epitaxy

Oxide vapor phase epitaxy (OVPE)法によるGaN成長では原料にO原子種を含むためO不純物量の制御が課題となっている．不純物の取り込みや結晶成長過程の詳細な検討には成長条件下における結晶表面構造に関する知見が必要である．本研究では第一原理計算を用いてOVPE成長条件下でのGaN(000-1)表面構造について解析を行った．