[15a-A21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15a-A21-9] グラフェンライクIII族窒化物半導体のバンドアライメント

〇太田 優一¹ (1.都産技研)

キーワード：窒化物半導体、バンドアラインメント、第一原理計算

III族窒化物半導体はウルツ鉱構造が最も安定であるが、グラフェン状の構造もとりうる事がわかっている。本研究ではIII族窒化物半導体のグラフェンライクおよび、ウルツ鉱構造のバンドアラインメントを比較する。