The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-A22-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 15, 2016 9:00 AM - 12:00 PM A22 (Main Hall B)

Tomoki Abe(Tottori Univ.)

9:00 AM - 9:15 AM

[15a-A22-1] Improvement in functionality of transparent V-doped ZnO conductive films by O2 microaddition

Tomoyuki Kawashima1, Katsuyoshi Washio1 (1.Tohoku Univ.)

Keywords:ZnO, Vanadium, TCO

V添加ZnO(VZO)透明導電膜中のドナーは、Vが間接的に生成した浅い準位を形成する格子間亜鉛(Zni)のような欠陥であるが、その他にも酸素空孔(VO)のような深い欠陥も生成しており、それらがVZOの電気伝導度や光透過率を劣化させている。本研究では、微量酸素混合スパッタリングガスを用いてVZO透明導電膜の機能改善を図り、可視光透過率と抵抗率を同時に改善する条件を見出した。