2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-A22-1~11] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:00 A22 (メインホールB)

阿部 友紀(鳥取大)

09:00 〜 09:15

[15a-A22-1] 微量酸素添加によるV添加ZnO透明導電膜の機能改善

川島 知之1、鷲尾 勝由1 (1.東北大院工)

キーワード:酸化亜鉛、バナジウム、透明導電膜

V添加ZnO(VZO)透明導電膜中のドナーは、Vが間接的に生成した浅い準位を形成する格子間亜鉛(Zni)のような欠陥であるが、その他にも酸素空孔(VO)のような深い欠陥も生成しており、それらがVZOの電気伝導度や光透過率を劣化させている。本研究では、微量酸素混合スパッタリングガスを用いてVZO透明導電膜の機能改善を図り、可視光透過率と抵抗率を同時に改善する条件を見出した。