[15a-A22-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-A22-4] Air-annealing improvement of Ga-doped ZnO film covered by SiO₂ cap layer

Takuya Kanai¹, Rei Sugiura¹, Motonari Shoriki¹, Shuhei Funaki¹, 〇Yasuji Yamada¹ (1.Shimane Umiv.)

Keywords:Transparent conducting films, Zinc oxide

SiO₂/GZO積層膜の抵抗率を真空中，および大気で高温アニールし，SiO₂層厚みに対する抵抗率の変化を比較した。大気アニール時の抵抗率はSiO₂の層厚の増加とともに減少し5×10^-4 Wcm程度の値に達した。一方，GZO単層膜は，1.5×10^-3 Wcmまで上昇した。真空アニールでもSiO₂層厚とともに抵抗率が減少したことより，アニール時には，Oの取り込みとZnの脱離が同時に発生し得る。