[15a-A22-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-A22-4] SiO₂を積層したGa添加ZnO膜の大気アニールによる特性向上

金井 拓哉¹、杉浦 怜¹、正力 幹也¹、舩木 修平¹、〇山田 容士¹ (1.島根大)

キーワード：透明導電膜、酸化亜鉛

SiO₂/GZO積層膜の抵抗率を真空中，および大気で高温アニールし，SiO₂層厚みに対する抵抗率の変化を比較した。大気アニール時の抵抗率はSiO₂の層厚の増加とともに減少し5×10^-4 Wcm程度の値に達した。一方，GZO単層膜は，1.5×10^-3 Wcmまで上昇した。真空アニールでもSiO₂層厚とともに抵抗率が減少したことより，アニール時には，Oの取り込みとZnの脱離が同時に発生し得る。