[15a-A22-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15a-A22-9] Transparent p-type γ-CuI thin films prepared on carious substrates

〇(M2)ryuichiro ino¹, Haruka Tomura¹, Masaki Kawamura¹, Yoshihiko Ninomiya¹, Naoomi Yamada¹ (1.Chubu Univ.)

Keywords:Non-oxide transparent p-type semiconductor, Flexible

γ-CuI薄膜は、非酸化物系の透明p型半導体である。γ-CuIの価電子帯は、電気陰性度が低いヨウ素の5p軌道から構成されるため高移動度が期待できる。これまで我々は、固体ヨウ素を用いた反応法を確立し、多結晶のγ-CuI薄膜を低温プロセスで高移動度化することに成功した。低温プロセスで作製できるため、次の目標はポリエチレンテレフタラート(PET)基板上へγ-CuI薄膜を作製する事である。本講演では、PET基板上へ作製したγ-CuI薄膜の特性を報告する。