[15a-A22-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15a-A22-9] 各種基板上への透明p型半導体γ-CuI薄膜の作製

〇(M2)井野 龍一朗¹、戸村 悠¹、河村 匡記¹、二宮 善彦¹、山田 直臣¹ (1.中部大院工)

キーワード：非酸化物透明p型半導体、フレキシブル

γ-CuI薄膜は、非酸化物系の透明p型半導体である。γ-CuIの価電子帯は、電気陰性度が低いヨウ素の5p軌道から構成されるため高移動度が期待できる。これまで我々は、固体ヨウ素を用いた反応法を確立し、多結晶のγ-CuI薄膜を低温プロセスで高移動度化することに成功した。低温プロセスで作製できるため、次の目標はポリエチレンテレフタラート(PET)基板上へγ-CuI薄膜を作製する事である。本講演では、PET基板上へ作製したγ-CuI薄膜の特性を報告する。