2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-A31-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 A31 (302A)

簔原 誠人(高エネ研)

09:45 〜 10:00

[15a-A31-4] (111)(Ba,La)SnO3エピタキシャル薄膜の電気伝導特性

三浦 光平1、桐谷 乃輔1、吉村 武1、芦田 淳1、藤村 紀文1 (1.阪府大院工)

キーワード:透明酸化物半導体、高移動度、BaSnO3

BaSnO3(BSO)は透明酸化物半導体や導電膜としての応用が期待されている。また、ペロブスカイト構造はその結晶方位によって物理的性質が大きく変わるため、その成長制御が重要である。しかし、(001)BSO薄膜については電気伝導特性ついての報告はあるが、(111)BSO薄膜に関してはエピタキシャル成長やその伝導のメカニズムについての議論はされていない。本研究では、(111) BSOにおける伝導メカニズム、移動度向上を妨げる散乱機構について議論する。