[15a-A33-1~10] 17.2 グラフェン

[15a-A33-7] グラフェン系触媒の単一フレークによる水中でのGe表面エッチング

〇中出 和希¹、森 大地¹、佐藤 慎祐¹、李 韶賢¹、川合 健太郎¹、森田 瑞穂¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：グラフェン、ゲルマニウム、エッチング

酸化グラフェン及びそれを化学的に還元したグラフェンを、単一フレークレベルでGe表面に堆積させた。その後、溶存酸素が飽和した純水に浸漬すると生じるエッチング痕をAFMにより観察し、定量的に評価した。酸化グラフェンは還元によって触媒活性が向上すると、Ge表面をエッチングする能力も向上することが示唆された。これらの結果はグラフェン系触媒を援用した半導体表面の新たな創成プロセスにつながると期待される。