[15a-A35-1~10] 9.4 熱電変換

[15a-A35-10] 【9．応用物性 分科内招待講演】熱電能電界変調法：AlGaN/GaN-MOSHEMT

〇太田 裕道¹、金木 奨太²、橋詰 保³ (1.北大電子研、2.北大院情報、3.北大量集セ)

キーワード：熱電能、AlGaN/GaN、二次元電子ガス

金属や半導体の熱電能は、熱電変換材料の性能を決めるために必要であるとともに、試料の電子状態を反映する極めて有用な物理量である。本研究では、AlGaN/GaN-MOSHEMTの2DEG熱電能電界変調を行ったので報告する。