[15a-A35-1~10] 9.4 Thermoelectric conversion

[15a-A35-4] Thermoelectric Properties of Homologous In₂O₃(ZnO)_m Thin Film

〇Junjun Jia¹, Hans Wardenga², Andreas Klein², Yuzo Shigesato¹ (1.Aoyama Gakuin Univ., 2.Technische Universtitat Darmstdadt)

Keywords:Homologous In2O3(ZnO)m thin film, Thermoelectric Thin Film

ホモロガスIn2O3(ZnO)m(m=整数)は超格子構造を有しており、高温で化学的に安定であるため高温熱電材料として注目されている。本研究では、スパッタ法を用いて石英ガラス基板上にIn2O3とZnOの複合酸化物薄膜を作製し、700℃の大気雰囲気焼成により膜厚方向に強くＣ軸配向した均一さと緻密さを持つホモロガスIn2O3(ZnO)m薄膜が得られた。ホール測定及びゼーペック係数の測定結果から算出すると、膜厚方向にＣ軸が強く配向したIn2O3(ZnO)m薄膜の出力因子は670℃で1.3×10^-4 W/mK^2で、高度配したバルクIn2O3(ZnO)m粉末に関して過去に報告されている最大の出力因子と同程度の値が得られた。