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△ [15a-A41-2] ナフトチオフェンジイミド(NTI)の開発とn型有機半導体材料への応用
キーワード:有機n型半導体材料、有機薄膜太陽電池、ナフタレンジイミド
本発表では、NDIに一つのチオフェンを縮環させたNTI (Fig.1)の合成と、その電子的・構造的特徴を利用したn型有機半導体材料の開発について報告する。
開発した材料は深いLUMOレベルを持ち、n型トランジスタ材料として良好な特性を示した(~ 0.43 cm2/Vs)。また、有機薄膜太陽電池のn 型材料としても有用であり、ドナーアクセプター型の高分子p型材料都の組み合わせにおいて最大7.0%の光電変換効率を示した。
開発した材料は深いLUMOレベルを持ち、n型トランジスタ材料として良好な特性を示した(~ 0.43 cm2/Vs)。また、有機薄膜太陽電池のn 型材料としても有用であり、ドナーアクセプター型の高分子p型材料都の組み合わせにおいて最大7.0%の光電変換効率を示した。