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[15a-B1-10] 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価
キーワード:GaN、界面顕微光応答法、波形表面モフォロジー
n-GaN表面に現れる波形モフォロジー(うねり)に着目し、界面顕微光応答法と顕微PL法で評価を行った。レーザー顕微鏡像から電極表面が約50 nm波打っていることを確認した。光電流像、PL像においても同様なうねりが検出された。光電流の減少した領域でYL強度が高くなっている。本サンプルではSiとCの濃度が拮抗しており、光電流が減少した領域ではC濃度が高く、補償により高抵抗化したと考えられる。