[15a-B1-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15a-B1-5] Operation of rectenna circuit using β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes

〇Naoto Kawano¹, Takayoshi Oshima¹, Makoto Kasu¹, Toshiyuki Oishi¹ (1.Saga Univ.)

Keywords:rectenna, Ga2O3, schottky barrier diode

レクテナの受電側の大容量化には，高出力・高効率のレクテナ回路が必要である．そのためレクテナ回路の整流動作を担うショットキーバリアダイオードにワイドギャップ半導体であるβ-Ga₂O₃ SBDを用いて作製したレクテナ回路によって振幅10 V周波数10 MHzの高周波を8 Vの直流に変換し，RF-DC変換の実証に成功したので報告する．