[15a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15a-B1-9] p⁺⁺-GaN薄層を用いた縦型p⁺⁺-n接合ダイオード

〇柘植 博史¹、堀切 文正²、成田 好伸²、金田 直樹³、中村 徹¹、三島 友義¹ (1.法政大学、2.サイオクス、3.クオンタムスプレッド)

キーワード：窒化ガリウム、p-n接合ダイオード

電極のコンタクト層として用いるp⁺⁺層とn-GaN層によるp⁺⁺-n接合ダイオードの評価を行った。順方向I-V特性は、p⁺⁺-GaN層の厚さが30 nmの場合、通常のp-n接合ダイオードとほぼ同じ立ち上がり電圧V_f ～3.1 Vを示した。より薄いp⁺⁺層ではV_fが低電圧側にシフトした。この他の結果からも、薄いp⁺⁺-GaN層はp型層やコンタクト層としても機能することが確認された。