[15a-B11-1~9] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[15a-B11-3] High performance thin film transistors using highly semiconductor enriched single wall carbon nanotube-polymer complex

〇kazuki isogai¹, takeshi tanaka^2,3, hiromichi kataura^2,3, hiroji shimizu¹, seiichiro murase¹ (1.Toray Industries, Inc., 2.NMRI, AIST, 3.TASC)

Keywords:carbon nanotube-polymer complex, highly semiconductor enriched carbon nanotube, separation temperature

我々はこれまでに半導体純度を高めたSWCNTと当社のCNT複合体化技術を融合し、塗布型TFTの大幅な高性能化を実現している。半導体純度を高めたSWCNTは、合成後のSWCNT（金属型と半導体型の混合物）から半導体型を分離することで得られる。今回は、異なる温度で分離した半導体型SWCNTを用いて作製した塗布型TFTにおいて、分離温度によるデバイス特性への影響が確認できたので、その結果を報告する。