[15a-B11-1~9] 12.4 有機EL・トランジスタ

[15a-B11-3] 高半導体純度の単層カーボンナノチューブ複合体を用いた高性能塗布型ＴＦＴ

〇磯貝 和生¹、田中 丈士^2,3、片浦 弘道^2,3、清水 浩二¹、村瀬 清一郎¹ (1.東レ株式会社、2.産総研ナノ材料、3.TASC)

キーワード：カーボンナノチューブ複合体、高半導体純度単層カーボンナノチューブ、分離温度

我々はこれまでに半導体純度を高めたSWCNTと当社のCNT複合体化技術を融合し、塗布型TFTの大幅な高性能化を実現している。半導体純度を高めたSWCNTは、合成後のSWCNT（金属型と半導体型の混合物）から半導体型を分離することで得られる。今回は、異なる温度で分離した半導体型SWCNTを用いて作製した塗布型TFTにおいて、分離温度によるデバイス特性への影響が確認できたので、その結果を報告する。