[15a-B11-1~9] 12.4 有機EL・トランジスタ

[15a-B11-9] 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜として用いたトップゲート型ペンタセンOFETの作製

〇廣木 瑞葉¹、Nithi Atthi¹、前田 康貴¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工学院)

キーワード：ペンタセン、ルブレン、トップゲート型OFET

前回我々は、Au-7.4%Geを用いたリフトオフプロセスにより、ボトムコンタクト型のソース/ドレイン(S/D)電極として形成したバックゲート型およびトップゲート型のペンタセンOFETに関して報告した。今回、ゲート絶縁膜として用いた非晶質(a)ルブレンの形成とトップゲート(TG)型OFETのデバイス特性向上に関する検討を行ったので報告する。