[15a-B12-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[15a-B12-2] 局所的なフォノン分布を考慮した擬Self-consistentモンテカルロ法によるナノスケールGaN-HEMTの電気的及び熱的特性解析(Ⅱ)

〇伊藤 直人¹、三澤 太一¹、粟野 祐二¹ (1.慶應理工)

キーワード：フォノン、モンテカルロ、GaN

ナノスケールデバイスの熱現象の解析のために非定常状態の電子とフォノンをSelf-consistentに解析することは電子とフォノンの緩和時間の隔たりのため困難であった。そこで、先行研究において解析の可能性が示された擬Self-consistentモンテカルロ法を高度化し、従来は局所温度分布から求めていた電子-フォノン散乱確率をフォノンの局所空間分布から直接求めるようなモデルとした。本発表ではAlGaN/GaNHEMTの電気的及び熱的特性について議論する。