2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[15a-B13-1~10] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:00 B13 (展示控室5A-5B)

奥崎 秀典(山梨大)、福田 武司(埼玉大)

11:30 〜 11:45

[15a-B13-9] ポリマー半導体のドーピングによるホモ接合ダイオード

崎山 晋1、小村 拓也1、水谷 直貴2、藤田 克彦1,2 (1.九大 総理工、2.九大 先導研)

キーワード:有機半導体ドーピング、導電性高分子、有機エレクトロニクス

ポリマー半導体のドーピングによる導電率の向上はよく知られているが、高効率なnドーピングと積層構造の形成は困難であった。これまでに我々はESDUS法を用いて、ポリマー半導体への15%の高効率nドーピングが可能であることを実証した。 本研究ではPoly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene-vinylene] (MEH-PPV)の無ドープ層の上にnドープ層を製膜し、片側階段接合型のポリマー半導体ホモ接合ダイオードを作製した。ポリマー半導体ホモ接合ダイオードのJ-Vカーブにおいてはドーピング濃度によらず、整流特性を示したが、逆方向電流は電圧に対して飽和せず、増加し続けることが分かった。すなわち、ポリマー半導体ホモ接合は、拡散理論に従うと考えられる。