2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15a-B2-1~8] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2016年9月15日(木) 10:00 〜 12:15 B2 (展示ホール内)

有馬 健太(阪大)

11:15 〜 11:30

[15a-B2-5] 亜硫酸を添加したフッ酸を用いた硫黄終端Ge(111)表面の作製

藤島 優介1、鈴木 仁1、坂上 弘之1 (1.広大先端研)

キーワード:ゲルマニウム、硫黄、XPS

我々は、亜硫酸ナトリウムを添加したフッ酸で処理したGe表面は硫黄終端され、水素終端表面よりも酸化されにくいことを報告した。しかし、処理過程でナトリウムを含むため、ナトリウム汚染の懸念がある。本研究では、ナトリウムを含まない、亜硫酸を添加したフッ酸で処理し、Ge表面の構造を評価した。その結果として、亜硫酸ナトリウム添加のフッ酸で処理した表面と同様の構造が得られることが分かった。