[15a-B3-1~9] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15a-B3-1] Optimization for synthesis of precursor of Na-doped type II Si clathrate films

〇(M2)Masafumi Sakagami¹, Shingo Ito¹, Tomoya Fujioka¹, Fumitaka Ohashi¹, Takayuki Ban¹, Tetsuji Kume¹, Shuichi Nonomura¹ (1.Gifu Univ.)

Keywords:clathrate, si

Na内包II型Siクラスレート(Na_xSi₁₃₆： x=0～24) はNa内包量が減少するに従い金属から半導体に変化する。Na内包量がx=0の場合には直接遷移半導体で、バンドギャップは1.8～2.0 eVであると実験によって示されており、太陽電池の新規光吸収材料としての応用が期待できる。我々は出発原料としてSi基板を用いることにより、局所的なNa_xSi₁₃₆の膜状合成に成功した。本研究ではNaSi膜の合成温度を600°Cから700°Cに変更し、降温速度を制御することで膜状合成を試みた。