[15a-B3-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-B3-1] Na内包II型Siクラスレート膜前駆体作製方法の模索

〇(M2)阪上 真史¹、伊藤 榛悟¹、富士岡 友也¹、大橋 史隆¹、伴 隆幸¹、久米 徹二¹、野々村 修一¹ (1.岐大院工)

キーワード：クラスレート、シリコン

Na内包II型Siクラスレート(Na_xSi₁₃₆： x=0～24) はNa内包量が減少するに従い金属から半導体に変化する。Na内包量がx=0の場合には直接遷移半導体で、バンドギャップは1.8～2.0 eVであると実験によって示されており、太陽電池の新規光吸収材料としての応用が期待できる。我々は出発原料としてSi基板を用いることにより、局所的なNa_xSi₁₃₆の膜状合成に成功した。本研究ではNaSi膜の合成温度を600°Cから700°Cに変更し、降温速度を制御することで膜状合成を試みた。