2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-B3-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年9月15日(木) 09:00 〜 11:15 B3 (展示控室3)

末益 崇(筑波大)、山口 憲司(量研機構)

10:45 〜 11:00

[15a-B3-8] 単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi2積層構造の作製

原 康祐1、Trinh Cham Thi2、黒川 康良2、有元 圭介1、山中 淳二1、中川 清和1、宇佐美 徳隆2 (1.山梨大クリスタル研、2.名大院工)

キーワード:バリウムシリサイド、真空蒸着、キャリア寿命

単一のBaSi2原料を用いた2段階の真空蒸着により、a-Si/BaSi2積層構造を作製する方法を見出した。a-Si層は、BaSi2成膜後の残留原料の再加熱により堆積した。表面a-Si層のパッシベーション効果により、BaSi2層の光励起キャリア寿命は増大した。