[15a-B3-1~9] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15a-B3-8] Fabrication of a-Si/BaSi₂ stacked structure by thermal evaporation using a single source

〇Kosuke Hara¹, Cham Thi Trinh², Yasuyoshi Kurokawa², Keisuke Arimoto¹, Junji Yamanaka¹, Kiyokazu Nakagawa¹, Noritaka Usami² (1.Univ. Yamanashi, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:Barium silicide, Thermal evaporation, Carrier lifetime

単一のBaSi₂原料を用いた2段階の真空蒸着により、a-Si/BaSi₂積層構造を作製する方法を見出した。a-Si層は、BaSi₂成膜後の残留原料の再加熱により堆積した。表面a-Si層のパッシベーション効果により、BaSi₂層の光励起キャリア寿命は増大した。