[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-C302-1] X線透過法による溶液法SiC結晶成長のその場観察

〇酒井 武信¹、加渡 幹尚²、大黒 寛典²、原田 俊太³、宇治原 徹³ (1.名大 未来社会創造機構、2.トヨタ自動車㈱、3.名大 未来材料・システム研究所)

キーワード：SiC溶液成長、その場観察

SiC溶液成長法において、成長その場観察を行うために、X線透過装置を結晶成長炉に付加し、温度約2000℃における溶液の挙動等の観察ができるような装置開発と条件を検討した。その結果、溶液液面は高周波誘導加熱ヒーターのローレンツ力に起因して液面中央部が盛り上がった表面形状で、かつ液面の動きは、不規則に激しく脈動しており、溶液は強制攪拌された乱流であった。その溶液の流速は0.4m/secレベルであることを見出した。