[15a-P11-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-P11-1] InGaAs/InAs/GaAs(111)A成長時の格子緩和機構

〇間野 高明¹、三石 和貴¹、大竹 晃浩¹、ハ ヌル¹、カステラーノ アンドレア^1,2、サングイネッティ ステファノ²、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹、黒田 隆¹、迫田 和彰¹ (1.物材機構、2.ミラノビコッカ大)

キーワード：InGaAs、メタモルフィック、X線回折

我々は、GaAs(111)A面上にInAs中間層を導入することにより、高品質な格子緩和したメタモルフィックInGaAsを形成できることを報告している。今回、作製した構造に関してXRD-RSM及び断面STEMを用いた詳細な構造解析を行い、InAs中間層による格子緩和機構についての考察を行ったので報告する