[15a-P11-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-P11-8] MBE法を用いたInGaP太陽電池における基板オフ角度の検討

〇(M1)長門 優喜^1,2、大島 隆治²、菅谷 武芳²、岡野 好伸¹ (1.都市大、2.産総研)

キーワード：MBE、InGaP、微傾斜基板

多接合太陽電池のトップセル材料であるInGaP結晶は、結晶成長条件により自然超格子を形成し太陽電池特性に影響する。これまでその結晶成長は主に有機金属気相成長法が用いられてきたため、分子線エピタキシー(MBE)成長における報告例は殆どがなかった。そこでMBE法を用いて様々なオフ角度を有したGaAs(001)基板上に結晶成長し、自然超格子形成の影響を調べると共に、InGaP太陽電池の特性を評価した。