[15a-P6-1~6] 3.13 半導体光デバイス

[15a-P6-1] 光センシング用SLDの利得波長帯域を拡大するInGaAs, InGaAsN量子井戸の複合構造の検討

〇今村 優雅¹、神門 雅也¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：InGaAsN、光センシング

近年、光により構造や成分を調べる光センシング技術は、様々な分野での応用が期待されている。その中でも医療分野における光センシングでは、水の吸収を避けつつ、高解像度を実現できるとして１ミクロン帯の近赤外光が用いられている。今回、さらなる利得波長域拡大に向け、InGaAs量子井戸の井戸幅を変化させることに加え、長波長側への波長域拡大に有効なInGaAsN量子井戸の導入による広帯域化の効果について報告する。