[15a-P9-1~20] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[15a-P9-17] Three-Dimensional Analysis of Phosphorus-Doped Si Nanocrystals Embedded in SiO₂ Matrix by Atom Probe Tomography

〇清水 康雄¹、韓 斌¹、Seguini Gabriele²、Arduca Elisa^2,3、Castro Celia⁴、Ben Assayag Gerard⁴、井上 耕治¹、永井 康介¹、Schamm-Chardon Sylvie⁴、Perego Michele² (1.東北大金研、2.IMM-CNR、3.Universita degli Studi di Milano、4.CEMES-CNRS)

キーワード：アトムプローブ、シリコン、リン

SiO₂に埋め込まれたSiナノ結晶は、光・電子デバイスへの応用として注目されている。このデバイス特性は、Siナノ結晶の形状・大きさ・密度、ドーピング濃度に強く依存する。過去の報告［B. Han et al., JSAP Spring Meeting, 12p-A20-9 (2015)］において、原子スケールの位置分解能で元素分布を得る３次元アトムプローブ法を適用して、Siナノ結晶のもととなるSiO膜の膜厚と形状・大きさ・密度の関係を報告した。本講演では、Siナノ結晶へのPドーピングについて報告する。そして、Siナノ結晶に対して効率良く不純物を取り入れるための方法を探索する。