2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

9 応用物性 » 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[15a-P9-1~20] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2016年9月15日(木) 09:30 〜 11:30 P9 (展示ホール)

09:30 〜 11:30

[15a-P9-17] Three-Dimensional Analysis of Phosphorus-Doped Si Nanocrystals Embedded in SiO2 Matrix by Atom Probe Tomography

清水 康雄1、韓 斌1、Seguini Gabriele2、Arduca Elisa2,3、Castro Celia4、Ben Assayag Gerard4、井上 耕治1、永井 康介1、Schamm-Chardon Sylvie4、Perego Michele2 (1.東北大金研、2.IMM-CNR、3.Universita degli Studi di Milano、4.CEMES-CNRS)

キーワード:アトムプローブ、シリコン、リン

SiO2に埋め込まれたSiナノ結晶は、光・電子デバイスへの応用として注目されている。このデバイス特性は、Siナノ結晶の形状・大きさ・密度、ドーピング濃度に強く依存する。過去の報告[B. Han et al., JSAP Spring Meeting, 12p-A20-9 (2015)]において、原子スケールの位置分解能で元素分布を得る3次元アトムプローブ法を適用して、Siナノ結晶のもととなるSiO膜の膜厚と形状・大きさ・密度の関係を報告した。本講演では、Siナノ結晶へのPドーピングについて報告する。そして、Siナノ結晶に対して効率良く不純物を取り入れるための方法を探索する。