[15a-P9-1~20] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[15a-P9-3] Si/Geコアシェルナノワイヤの結晶性およびホールガス蓄積制御

〇西部 康太郎^1,2、Jevasuwan Wipakorn²、Subramani Thiyagu²、武井 俊朗²、深田 直樹^1,2 (1.筑波大院、2.物材機構)

キーワード：ナノワイヤ

近年、半導体トランジスタは微細化によるリーク電流の増大、発熱の問題等により材料や構造を変えていかなければ、更なる性能向上は見込めない状況まできている。我々のグループではSiとGeを用いたナノワイヤ構造を利用することで、不純物散乱を抑制した新しい高移動度チャネルの形成を目指している。上述のデバイス実現にむけて、ドライエッチングおよびCVD法を用いて形成されたSi/Geコアシェルナノワイヤの結晶性およびGeシェル層へのホールガス蓄積効果に関する実験を行った。