[15a-P9-1~20] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[15a-P9-3] Control of crystallinity and hole gas accumulation in Si/Ge core-shell nanowires

〇Kotaro Nishibe^1,2, Wipakorn Jevasuwan², Thiyagu Subramani², Toshiaki Takei², Naoki Fukata^1,2 (1.Univ. Tsukuba, 2.NIMS.)

Keywords:nanowires

近年、半導体トランジスタは微細化によるリーク電流の増大、発熱の問題等により材料や構造を変えていかなければ、更なる性能向上は見込めない状況まできている。我々のグループではSiとGeを用いたナノワイヤ構造を利用することで、不純物散乱を抑制した新しい高移動度チャネルの形成を目指している。上述のデバイス実現にむけて、ドライエッチングおよびCVD法を用いて形成されたSi/Geコアシェルナノワイヤの結晶性およびGeシェル層へのホールガス蓄積効果に関する実験を行った。