[15p-A21-1~13] Materials Science and Advanced Elecronics Created by Singularity of Nitride Semiconductots

[15p-A21-10] Selective area growth of GaN on inversed-mesa-etched GaN templates

〇Norihiro Itagaki¹, Kei Nagatoshi¹, Ryo Inomoto¹, Narihito Okada¹, Tomoyasu Nishimiya², Humiharu Matsuo², Kazuyuki Tadatomo¹ (1.Yamaguchi University, 2.SAMCO Inc.)

Keywords:GaN, nversed-mesa-etched, Selective area growth

サファイアとGaNとの大きな熱膨張係数差によるクラックが発生し、自立GaN基板の作製の歩留りが悪い結果が報告されている。我々はICP-RIE装置を用いて、GaNの側壁面が逆テーパとなるGaN逆メサ加工技術を見出した[1]。本研究では、歩留りの高い自立GaN基板作製に向けて、GaN逆メサ加工技術により、GaNメサ加工技術と比べてサファイアとGaNの接触面積割合が小さくなる加工基板を作製し、凸部表面からのGaNの選択成長に成功したので報告する。