[15p-A21-1~13] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能の発現と理解～

[15p-A21-2] 非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製

〇藤岡 洋^1,2、上野 耕平¹、小林 篤¹、太田 実雄^1,3 (1.東大生研、2.JST-ACCEL、3.JST-PRESTO)

キーワード：GaN、特異構造、窒化物

従来のエレクトロニクスは完全結晶の物理を基に構築されている。一方、結晶欠陥に着目すると、欠陥構造はそれぞれ特有な電子状態を有しており、これを巧く利用することによってこれまでにない新しいエレクトロニクスの展開が期待される。本講演ではパルスプラズマを用いて窒化物半導体中に意図的に結晶欠陥を含む構造（特異構造）を導入し、さらに、エレクトロニクス素子として利用する可能性について、その道筋を議論する。