[15p-A21-1~13] Materials Science and Advanced Elecronics Created by Singularity of Nitride Semiconductots

[15p-A21-8] Thickness dependence of buffer layer on a-plane AlN grown on r-plane sapphire

〇Chiahung Lin¹, Shinya Tamaki¹, Yasuhiro Yamashita¹, Hideto Miyake^1,2, Kazumasa Hiramatsu¹ (1.Mie Univ., 2.Mie Univ. Innov.)

Keywords:AlN, HVPE

現状のr面サファイア基板上へのa面AlNは結晶性が不十分でかつ表面で凹凸構造が形成されやすいという課題がある。高温の熱処理と成長の条件の最適化が必要不可欠と考えられるが、基板温度1500℃以上で水素雰囲気中ではr面サファイア基板が熱分解を生じる。本研究では、高い結晶性および表面ファセットフリーのa面AlN厚膜 (10μm) を作製するため、a面AlNバッファ層厚さを検討した。