[15p-A21-1~13] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能の発現と理解～

[15p-A21-8] r面サファイア上へのa面AlN成長におけるバッファ層厚さ依存性

〇林 家弘¹、玉置 真哉¹、山下 泰弘¹、三宅 秀人^1,2、平松 和政¹ (1.三重大院工、2.三重大地域イノベ)

キーワード：窒化アルミニウム、ハイドライド気相成長法

現状のr面サファイア基板上へのa面AlNは結晶性が不十分でかつ表面で凹凸構造が形成されやすいという課題がある。高温の熱処理と成長の条件の最適化が必要不可欠と考えられるが、基板温度1500℃以上で水素雰囲気中ではr面サファイア基板が熱分解を生じる。本研究では、高い結晶性および表面ファセットフリーのa面AlN厚膜 (10μm) を作製するため、a面AlNバッファ層厚さを検討した。