[15p-A21-1~13] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能の発現と理解～

[15p-A21-9] テラヘルツ波放射によるm面GaNの自発分極の評価

酒井 裕司¹、〇川山 巌¹、中西 英俊²、斗内 政吉¹ (1.阪大レーザー研、2.SCREEN)

キーワード：GaN、テラヘルツ、分極

フェムト秒レーザーパルス照射により発生するテラヘルツ(THz)波により、キャリアの発生効率，寿命，内部電場の分布などを評価することが可能である。今回、m面GaNにおいて面内に存在する自発分極を、THz波により視覚化し、GaN の表面検査の可能性を検証した。