[15p-A23-1~20] 15.8 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

△ [15p-A23-20] Characterization of GaN crystals with the X-ray topography (2)

〇(M1C)Yuko Kitano¹, Satoko Miyakawa¹, Emiko Inoue¹, Koichi Akimoto¹ (1.Japan Women's Univ.)

Keywords:X-ray topography, GaN, interface

X線トポグラフ法で撮影した画像から結晶面の傾き∆θと結晶面間隔の伸縮∆d/dを分離した画像を作成し、断面試料の評価を行った。解析は、アモノサーマル法で作製したGaN基板上にHVPE法によってGaNをm面方向に薄膜成長させた試料の断面について基板と成長部分の界面、成長部分である。界面、成長部分ともにトポグラフ画像では明瞭にはあらわれないものが∆θ、∆d/dで見ることができ、界面付近と成長部分での値の変化はさほど見られなかった。